RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
56
85
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.0
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
85
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
1118
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link