RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Сравнить
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
56
85
Около 34% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
11.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
6.0
1,813.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
85
Скорость чтения, Гб/сек
4,387.7
11.3
Скорость записи, Гб/сек
1,813.5
6.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
1118
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link