RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
66
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3224
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link