RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
37
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
23
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2395
3091
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
AMD AE34G1339U2 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link