RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
66
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
54
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2176
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link