RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
66
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
46
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2717
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link