RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
46
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2495
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link