RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
66
Wokół strony -267% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
18
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3536
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link