RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
66
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.7
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
34
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
14.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3145
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link