RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
32
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2434
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link