RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
66
Wokół strony -144% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.0
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
1890
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9LZ?????? 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link