RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
44
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1977
3437
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link