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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Comparez
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Note globale
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
44
Autour de -57% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
28
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1977
3437
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
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