RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Comparez
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Note globale
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Note globale
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
26
Autour de 12% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
5.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
26
Vitesse de lecture, GB/s
11.6
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
5.6
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1751
2806
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Comparaison des RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link