RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Porównaj
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Wynik ogólny
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
5.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
26
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.6
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1751
2806
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
takeMS International AG TMS4GB364E081139EM 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
AMD R5316G1609U2K 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link