RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Porównaj
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Wynik ogólny
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
39
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
8.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
32
Prędkość odczytu, GB/s
14.6
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.8
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2355
3579
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link