RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,285.0
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
68
Wokół strony -152% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,165.3
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,285.0
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
784
3956
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link