RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,285.0
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
68
Wokół strony -152% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,165.3
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,285.0
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
784
3956
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link