RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
85
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.4
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
85
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
5.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
1277
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link