RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs AMD R748G2400U2S 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
AMD R748G2400U2S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
AMD R748G2400U2S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
46
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2686
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
AMD R748G2400U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link