RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
46
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3379
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link