RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
46
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3303
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link