RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
46
Wokół strony -130% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
20
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3549
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link