RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
13.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
46
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3215
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link