RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
46
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3857
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link