RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
46
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3857
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link