RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2545
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link