RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3300
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link