RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
11.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
46
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2847
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link