RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
46
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
37
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2971
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link