RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
84
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.8
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
84
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
1574
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link