RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
46
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2552
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M392B1K70CM0-CH9 8GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link