RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
46
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3193
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Mushkin 991586 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link