RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
46
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
21
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2769
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link