RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
46
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3246
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link