RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
46
Wokół strony -156% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
18
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
20.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3722
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link