RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3563
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link