RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
46
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3524
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link