RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
46
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3090
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link