RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
46
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3227
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-D8KQ9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link