RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3600
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link