RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
46
Wokół strony -156% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
18
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3609
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link