RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
46
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
4122
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link