RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
25.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
19.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
46
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
25.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
19.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
4167
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link