RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
46
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.0
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
20.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
4029
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link