RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
53
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
53
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2301
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link