RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
46
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3039
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link