RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3546
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link