RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
46
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2951
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link