RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
46
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3149
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link