RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
46
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2935
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link