RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
46
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
41
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2154
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link